Продукція > BRIDGELUX > BXT210N02M
BXT210N02M

BXT210N02M BRIDGELUX

Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.8A; Idm: 27.2A; 1.6W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12.1nC
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 1.6W
Drain current: 6.8A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 27.2A
Case: SOT23
на замовлення 11884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+21.50 грн
33+12.81 грн
65+6.42 грн
108+3.85 грн
250+2.56 грн
1000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BXT210N02M BRIDGELUX

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.8A; Idm: 27.2A; 1.6W; SOT23, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: reel, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Gate charge: 12.1nC, On-state resistance: 21mΩ, Power dissipation: 1.6W, Drain current: 6.8A, Gate-source voltage: ±12V, Drain-source voltage: 20V, Pulsed drain current: 27.2A, Case: SOT23, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції BXT210N02M за ціною від 2.50 грн до 25.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BXT210N02M BXT210N02M Виробник : BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.8A; Idm: 27.2A; 1.6W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12.1nC
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 1.6W
Drain current: 6.8A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 27.2A
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11884 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.80 грн
20+15.96 грн
39+7.71 грн
100+4.62 грн
250+3.07 грн
1000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.