Продукція > BRIDGELUX > BXT210N02M
BXT210N02M

BXT210N02M BRIDGELUX


Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.8A; Idm: 27.2A; 1.6W; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 27.2A
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 12.1nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 6.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel
Case: SOT23
On-state resistance: 21mΩ
на замовлення 11679 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+21.68 грн
32+13.25 грн
64+6.64 грн
106+3.98 грн
250+2.65 грн
1000+2.12 грн
3000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 21 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BXT210N02M BRIDGELUX

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.8A; Idm: 27.2A; 1.6W; SOT23, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 27.2A, Power dissipation: 1.6W, Gate charge: 12.1nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 6.8A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 20V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±12V, Kind of package: reel, Case: SOT23, On-state resistance: 21mΩ.