BXT210N02M BRIDGELUX
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.8A; Idm: 27.2A; 1.6W; SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.8A
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 12.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 27.2A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.8A; Idm: 27.2A; 1.6W; SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.8A
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 12.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 27.2A
Mounting: SMD
Case: SOT23
на замовлення 11940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 22.01 грн |
| 31+ | 13.05 грн |
| 61+ | 6.54 грн |
| 101+ | 3.92 грн |
| 250+ | 2.62 грн |
| 431+ | 2.15 грн |
| 1000+ | 2.09 грн |
| 1186+ | 2.03 грн |
| 3000+ | 1.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BXT210N02M BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.8A; Idm: 27.2A; 1.6W; SOT23, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 6.8A, On-state resistance: 21mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 1.6W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel, Gate charge: 12.1nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±12V, Pulsed drain current: 27.2A, Mounting: SMD, Case: SOT23, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції BXT210N02M за ціною від 2.51 грн до 26.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BXT210N02M | Виробник : BRIDGELUX |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.8A; Idm: 27.2A; 1.6W; SOT23 Drain-source voltage: 20V Drain current: 6.8A On-state resistance: 21mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Gate charge: 12.1nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 27.2A Mounting: SMD Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11940 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|