BXT210N02M BRIDGELUX
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.8A; Idm: 27.2A; 1.6W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12.1nC
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 1.6W
Drain current: 6.8A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 27.2A
Case: SOT23
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.8A; Idm: 27.2A; 1.6W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12.1nC
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 1.6W
Drain current: 6.8A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 27.2A
Case: SOT23
на замовлення 11939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 21.21 грн |
| 31+ | 12.84 грн |
| 62+ | 6.43 грн |
| 102+ | 3.87 грн |
| 250+ | 2.58 грн |
| 431+ | 2.15 грн |
| 1000+ | 2.06 грн |
| 1186+ | 2.03 грн |
| 3000+ | 1.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BXT210N02M BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.8A; Idm: 27.2A; 1.6W; SOT23, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: reel, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Gate charge: 12.1nC, On-state resistance: 21mΩ, Power dissipation: 1.6W, Drain current: 6.8A, Gate-source voltage: ±12V, Drain-source voltage: 20V, Pulsed drain current: 27.2A, Case: SOT23, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції BXT210N02M за ціною від 2.48 грн до 25.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BXT210N02M | Виробник : BRIDGELUX |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.8A; Idm: 27.2A; 1.6W; SOT23 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 12.1nC On-state resistance: 21mΩ Power dissipation: 1.6W Drain current: 6.8A Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V Pulsed drain current: 27.2A Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11939 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|