BXT230P03B BRIDGELUX


BXT230P03B.pdf
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -40A; 3.9W; SOP8
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 3.9W
Gate charge: 28nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
на замовлення 1824 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+23.27 грн
24+17.70 грн
28+15.12 грн
100+12.13 грн
250+10.80 грн
500+9.06 грн
1000+8.14 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BXT230P03B BRIDGELUX

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -40A; 3.9W; SOP8, Pulsed drain current: -40A, Power dissipation: 3.9W, Gate charge: 28nC, Polarisation: unipolar, Drain current: -7A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: -30V, Type of transistor: P-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: SOP8, On-state resistance: 34mΩ, Mounting: SMD.