BXT2800N10M BRIDGELUX
Виробник: BRIDGELUXCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.4A; Idm: 8.8A; 2.8W; SOT23-3
Power dissipation: 2.8W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23-3
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.31Ω
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 8.8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4069 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 56+ | 7.71 грн |
| 79+ | 5.09 грн |
| 100+ | 4.01 грн |
| 111+ | 3.60 грн |
| 250+ | 3.02 грн |
| 450+ | 2.08 грн |
| 1236+ | 1.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BXT2800N10M BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.4A; Idm: 8.8A; 2.8W; SOT23-3, Power dissipation: 2.8W, Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET, Case: SOT23-3, Kind of package: reel; tape, Polarisation: unipolar, Gate charge: 12nC, On-state resistance: 0.31Ω, Drain current: 1.4A, Pulsed drain current: 8.8A, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 100V, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції BXT2800N10M за ціною від 2.36 грн до 9.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BXT2800N10M | Виробник : BRIDGELUX |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.4A; Idm: 8.8A; 2.8W; SOT23-3 Power dissipation: 2.8W Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23-3 Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 12nC On-state resistance: 0.31Ω Drain current: 1.4A Pulsed drain current: 8.8A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4069 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|