BXT280N02B

BXT280N02B BRIDGELUX


BXT280N02B.pdf Виробник: BRIDGELUX
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4A; Idm: 24A; 1.6W; SOP8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SOP8
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 5.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 24A
на замовлення 501 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+14.82 грн
35+11.24 грн
40+9.66 грн
100+7.72 грн
220+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BXT280N02B BRIDGELUX

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4A; Idm: 24A; 1.6W; SOP8, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 4A, On-state resistance: 38mΩ, Type of transistor: N-MOSFET x2, Case: SOP8, Power dissipation: 1.6W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Mounting: SMD, Gate charge: 5.5nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±12V, Pulsed drain current: 24A, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції BXT280N02B за ціною від 4.73 грн до 17.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BXT280N02B BXT280N02B Виробник : BRIDGELUX BXT280N02B.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4A; Idm: 24A; 1.6W; SOP8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SOP8
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 5.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 24A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 501 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
17+17.78 грн
21+14.00 грн
25+11.60 грн
100+9.27 грн
220+5.01 грн
603+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.