
BXT600P03M BRIDGELUX

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -16.4A; 1.51W
Drain current: -2.7A
Gate charge: 6.8nC
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 1.51W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23-3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -16.4A
на замовлення 2715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 16.93 грн |
52+ | 7.62 грн |
74+ | 5.31 грн |
100+ | 4.25 грн |
250+ | 3.80 грн |
385+ | 2.40 грн |
1057+ | 2.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BXT600P03M BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -16.4A; 1.51W, Drain current: -2.7A, Gate charge: 6.8nC, On-state resistance: 85mΩ, Power dissipation: 1.51W, Gate-source voltage: ±20V, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: P-MOSFET, Kind of package: reel; tape, Mounting: SMD, Case: SOT23-3, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -30V, Pulsed drain current: -16.4A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції BXT600P03M за ціною від 2.72 грн до 20.32 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BXT600P03M | Виробник : BRIDGELUX |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -16.4A; 1.51W Drain current: -2.7A Gate charge: 6.8nC On-state resistance: 85mΩ Power dissipation: 1.51W Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT23-3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Pulsed drain current: -16.4A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2715 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|