Продукція > BRIDGELUX > BXT600P03M
BXT600P03M

BXT600P03M BRIDGELUX

BXT600P03M.pdf
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -16.4A; 1.51W
Pulsed drain current: -16.4A
Power dissipation: 1.51W
Gate charge: 6.8nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -2.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23-3
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
на замовлення 2389 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+17.07 грн
52+8.09 грн
74+5.64 грн
100+4.51 грн
250+4.03 грн
395+2.41 грн
1085+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 27 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BXT600P03M BRIDGELUX

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -16.4A; 1.51W, Pulsed drain current: -16.4A, Power dissipation: 1.51W, Gate charge: 6.8nC, Polarisation: unipolar, Drain current: -2.7A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: -30V, Type of transistor: P-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: SOT23-3, On-state resistance: 85mΩ, Mounting: SMD.