BY25Q40GWTIG(T)

BY25Q40GWTIG(T) BYTe Semiconductor


BY25Q40GW.pdf Виробник: BYTe Semiconductor
Description: 4 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 17 ns
Memory Organization: 512K x 8
на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+24.55 грн
15+ 18.99 грн
25+ 17.39 грн
100+ 12.13 грн
300+ 11 грн
500+ 9.1 грн
1000+ 6.71 грн
2500+ 6.15 грн
5000+ 5.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BY25Q40GWTIG(T) BYTe Semiconductor

Description: 4 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 4Mbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V, Technology: FLASH - NOR (SLC), Clock Frequency: 100 MHz, Memory Format: FLASH, Supplier Device Package: 8-SOP, Write Cycle Time - Word, Page: 3ms, Memory Interface: SPI - Quad I/O, Access Time: 17 ns, Memory Organization: 512K x 8.