BY25Q80ESTIG(T)

BY25Q80ESTIG(T) BYTe Semiconductor


BY25Q80ES.pdf Виробник: BYTe Semiconductor
Description: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 55µs, 2ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.72 грн
13+ 22.32 грн
25+ 20.86 грн
100+ 15.66 грн
300+ 14.54 грн
500+ 12.3 грн
1000+ 9.35 грн
2500+ 8.52 грн
5000+ 7.97 грн
Мінімальне замовлення: 11
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BY25Q80ESTIG(T) BYTe Semiconductor

Description: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 8Mbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Technology: FLASH - NOR (SLC), Clock Frequency: 120 MHz, Memory Format: FLASH, Supplier Device Package: 8-SOP, Write Cycle Time - Word, Page: 55µs, 2ms, Memory Interface: SPI - Quad I/O, Access Time: 7 ns, Memory Organization: 1M x 8.