Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > BYG20JHE3_A/I
BYG20JHE3_A/I

BYG20JHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

byg20d.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7500+11.74 грн
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BYG20JHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Avalanche, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BYG20JHE3_A/I за ціною від 12.55 грн до 55.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BYG20JHE3_A/I BYG20JHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg20d.pdf Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.65 грн
10+33.29 грн
100+21.50 грн
500+15.39 грн
1000+13.84 грн
2000+12.55 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG20JHE3_A/I BYG20JHE3_A/I Vishay Semiconductors byg20d.pdf Rectifiers 1.5A,600V,75nS AVAL AEC-Q101 Qualified
на замовлення 7343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BYG20JHE3_A/I byg20d.pdf
BYG20JHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+55.65 грн
10+33.29 грн
100+21.50 грн
500+15.39 грн
1000+13.84 грн
2000+12.55 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYG20JHE3_A/I byg20d.pdf
BYG20JHE3_A/I
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers 1.5A,600V,75nS AVAL AEC-Q101 Qualified
на замовлення 7343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.