
BYG21M-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
7500+ | 6.50 грн |
15000+ | 6.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYG21M-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - BYG21M-E3/TR3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1.5 A, Einfach, 1.6 V, 120 ns, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-214AC (SMA), Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.6V, Sperrverzögerungszeit: 120ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції BYG21M-E3/TR3 за ціною від 5.73 грн до 32.54 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BYG21M-E3/TR3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BYG21M-E3/TR3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 315000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BYG21M-E3/TR3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 315000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BYG21M-E3/TR3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.6V Sperrverzögerungszeit: 120ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 2630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BYG21M-E3/TR3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V |
на замовлення 34943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BYG21M-E3/TR3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.6V Sperrverzögerungszeit: 120ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 2630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BYG21M-E3/TR3 | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
на замовлення 29275 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BYG21M-E3/TR3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BYG21M-E3/TR3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 120ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.6V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1.5A Reverse recovery time: 120ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Case: DO214AC; SMA Max. forward voltage: 1.6V Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 10µA Kind of package: 13 inch reel Quantity in set/package: 7500pcs. кількість в упаковці: 7500 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BYG21M-E3/TR3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 120ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.6V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1.5A Reverse recovery time: 120ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Case: DO214AC; SMA Max. forward voltage: 1.6V Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 10µA Kind of package: 13 inch reel Quantity in set/package: 7500pcs. |
товару немає в наявності |