BZT52C33-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 33V 410MW SOD123
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 25 V
Power - Max: 410 mW
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: SOD-123
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-123
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BZT52C33-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 33V 410MW SOD123, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 25 V, Power - Max: 410 mW, Part Status: Last Time Buy, Supplier Device Package: SOD-123, Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOD-123, Tolerance: ±5%, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції BZT52C33-HE3-18
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BZT52C33-HE3-18 | Виробник : Vishay Semiconductors |
Zener Diodes 33 Volt 0.41W 5% AUTO |
товару немає в наявності |