CAB530M12BM3 Wolfspeed
Виробник: Wolfspeed
Discrete Semiconductor Modules SiC, Module, 530A, 1200V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CAB530M12BM3 Wolfspeed
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 530A MODULE, Part Status: Active, Supplier Device Package: Module, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 140mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1362nC @ 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 530A, 15V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39600pF @ 800V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530A, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Technology: Silicon Carbide (SiC), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Tray.
Інші пропозиції CAB530M12BM3 за ціною від 62538.22 грн до 62538.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CAB530M12BM3 | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 530A MODULE Part Status: Active Supplier Device Package: Module Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 140mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1362nC @ 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 530A, 15V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39600pF @ 800V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530A Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Technology: Silicon Carbide (SiC) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|