CBB032M12FM3 Wolfspeed
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 7348.28 грн |
| 10+ | 5727.02 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CBB032M12FM3 Wolfspeed
Description: MOSFET 4N-CH 1200V 40A, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.6mOhm @ 30A, 15V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118nC @ 15V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 11.5mA.
Інші пропозиції CBB032M12FM3 за ціною від 8661.66 грн до 11557.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CBB032M12FM3 | Wolfspeed, Inc. |
 Description: MOSFET 4N-CH 1200V 40APackaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.6mOhm @ 30A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 11.5mA |
на замовлення 54 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
CBB032M12FM3 | MACOM |
Discrete Semiconductor Modules 1200V, 50A, SiC Six pack Module GEN 3 |
на замовлення 51 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| CBB032M12FM3 |
|
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 4N-CH 1200V 40A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.6mOhm @ 30A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 11.5mA
Description: MOSFET 4N-CH 1200V 40A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.6mOhm @ 30A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 11.5mA
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 10256.52 грн |
| 18+ | 8661.66 грн |
| CBB032M12FM3 |
|
Виробник: MACOM
Discrete Semiconductor Modules 1200V, 50A, SiC Six pack Module GEN 3
Discrete Semiconductor Modules 1200V, 50A, SiC Six pack Module GEN 3
на замовлення 51 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 11557.68 грн |
| 10+ | 10883.73 грн |
| 18+ | 9292.62 грн |