CDBD2SC21200-G Comchip Technology
Виробник: Comchip Technology
Description: DIODE SIL CARB 1200V 6.2A TO263
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Current - Average Rectified (Io): 6.2A
Capacitance @ Vr, F: 136pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CDBD2SC21200-G Comchip Technology
Description: DIODE SIL CARB 1200V 6.2A TO263, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Current - Average Rectified (Io): 6.2A, Capacitance @ Vr, F: 136pF @ 0V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tube.
Інші пропозиції CDBD2SC21200-G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
CDBD2SC21200-G | Comchip Technology |
SiC Schottky Diodes SiC POWER SCHOTTKY 2A 1200V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. |
| CDBD2SC21200-G |
![]() |
Виробник: Comchip Technology
SiC Schottky Diodes SiC POWER SCHOTTKY 2A 1200V
SiC Schottky Diodes SiC POWER SCHOTTKY 2A 1200V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.



