Продукція > CDIL > CDN1308EDL

CDN1308EDL CDIL


CDN1308EDL.pdf
Виробник: CDIL
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.1A; Idm: 6A; 0.3W; SOT323; ESD
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 0.3W
Gate charge: 1.4nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: 1.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT323
On-state resistance: 0.185Ω
на замовлення 5775 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
125+3.77 грн
150+3.15 грн
350+2.80 грн
500+2.79 грн
950+2.64 грн
3000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 125 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CDN1308EDL CDIL

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.1A; Idm: 6A; 0.3W; SOT323; ESD, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 6A, Power dissipation: 0.3W, Gate charge: 1.4nC, Polarisation: unipolar, Version: ESD, Drain current: 1.1A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 30V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±12V, Kind of package: reel; tape, Case: SOT323, On-state resistance: 0.185Ω.