CIG10F2R2MNC SAMSUNGEM
Виробник: SAMSUNGEMInductor Power Chip Shielded Multi-Layer 2.2uH 20% 1MHz Ferrite 0.5A 0.45Ohm DCR 0603 T/R
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CIG10F2R2MNC SAMSUNGEM
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 2.2uH 20% 1MHz Ferrite 0.5A 0.45Ohm DCR 0603 T/R.
Інші пропозиції CIG10F2R2MNC
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
.jpg "CIG10F2R2MNC") |
CIG10F2R2MNC | Виробник : Samsung Electro-Mechanics America, Inc. |
Description: FIXED IND 2.2UH 500MA 450 MOHM |
товару немає в наявності |
|
|
|
CIG10F2R2MNC | Виробник : Samsung Electro-Mechanics America, Inc. |
Description: FIXED IND 2.2UH 500MA 450 MOHM |
товару немає в наявності |