CIG21W1R0MNE SAMSUNGEM
Виробник: SAMSUNGEMInductor Power Chip Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz Ferrite 1.05A 0.13Ohm DCR 0805 T/R
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CIG21W1R0MNE SAMSUNGEM
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz Ferrite 1.05A 0.13Ohm DCR 0805 T/R.
Інші пропозиції CIG21W1R0MNE
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
-2,00x1.25x,80mm.jpg "CIG21W1R0MNE") |
CIG21W1R0MNE | Виробник : Samsung Electro-Mechanics |
Description: FIXED IND 1UH 1.05A 133 MOHM SMD |
товар відсутній |
|
|
|
CIG21W1R0MNE | Виробник : Samsung Electro-Mechanics |
Description: FIXED IND 1UH 1.05A 133 MOHM SMD |
товар відсутній |