Технічний опис CM600HA24H MIT
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 600A; screw, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 600A, Pulsed collector current: 1.2kA, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: IGBT, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Semiconductor structure: single transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції CM600HA24H
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
CM600HA-24H Код товару: 62482
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||
CM600HA-24H | Виробник : MITSUBISHI ELECTRIC |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 600A; screw Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 600A Pulsed collector current: 1.2kA Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Semiconductor structure: single transistor Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
CM600HA-24H | Виробник : Powerex Inc. |
![]() |
товару немає в наявності |
||
CM600HA-24H | Виробник : MITSUBISHI ELECTRIC |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 600A; screw Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 600A Pulsed collector current: 1.2kA Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Semiconductor structure: single transistor Gate-emitter voltage: ±20V |
товару немає в наявності |