Технічний опис CM600HA24H MIT
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 600A; screw, Max. off-state voltage: 1.2kV, Electrical mounting: screw, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Mechanical mounting: screw, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: single transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 600A, Pulsed collector current: 1.2kA, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції CM600HA24H
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
CM600HA-24H Код товару: 62482 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||
CM600HA-24H | Виробник : MITSUBISHI ELECTRIC |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 600A; screw Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: screw Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 600A Pulsed collector current: 1.2kA кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
CM600HA-24H | Виробник : Powerex Inc. | Description: IGBT MOD 1200V 600A 4100W |
товар відсутній |
||
CM600HA-24H | Виробник : MITSUBISHI ELECTRIC |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 600A; screw Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: screw Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 600A Pulsed collector current: 1.2kA |
товар відсутній |