CMLDM7003 TR Central Semiconductor Corp
Виробник: Central Semiconductor CorpDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.76nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.75 грн |
| 11+ | 30.59 грн |
| 100+ | 21.26 грн |
| 500+ | 15.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CMLDM7003 TR Central Semiconductor Corp
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 350mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 50V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.76nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-563.
Інші пропозиції CMLDM7003 TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
CMLDM7003 TR | Виробник : Central Semiconductor |
MOSFET DUAL, 50V, 280mA N-CHANNEL MOSFET |
на замовлення 5935 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|
CMLDM7003TR Код товару: 140331
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||
|
CMLDM7003 TR | Виробник : Central Semiconductor Corp |
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 350mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.76nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 |
товару немає в наявності |