CSD75211W1723

CSD75211W1723 Texas Instruments


csd75211w1723.pdf Виробник: Texas Instruments
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 12-Pin Wafer T/R
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD75211W1723 Texas Instruments

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 12DSBGA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 12-UFBGA, DSBGA, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.5W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: 12-DSBGA.

Інші пропозиції CSD75211W1723

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CSD75211W1723 CSD75211W1723 Виробник : Texas Instruments CSD75211W1723.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 12DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-DSBGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.