Технічний опис CY7C1049DV33-10VXI Cypress Semiconductor Corp
Статична енергозалежна пам'ять SRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об'єм RAM = 4 Мбіт, Орг. пам. = 512К х 8, Тдост/Частота = 10 нс, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Паралельний,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: BSOJ-36 Од. вим: шт, кількість в упаковці: 19 шт.
Інші пропозиції CY7C1049DV33-10VXI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| CY7C1049DV3310VXI | Виробник : CY |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| CY7C1049DV33-10VXI | Виробник : Cypress Semiconductor |
 SRAM 4MBIT 10NS 36SOJ Група товару: Мікросхеми пам'яті Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||
| CY7C1049DV33-10VXI | Виробник : Cypress Semiconductor |
Статична енергозалежна пам'ять SRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об'єм RAM = 4 Мбіт, Орг. пам. = 512К х 8, Тдост/Частота = 10 нс, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Паралельний,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: BSOJ-36 Од. вим: шт кількість в упаковці: 19 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
CY7C1049DV33-10VXI | Виробник : Cypress Semiconductor |
SRAM 4Mb 10ns 3.3V 512Kx8 Fast Async SRAM |
товару немає в наявності |