
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 405.85 грн |
10+ | 336.70 грн |
100+ | 246.76 грн |
250+ | 241.47 грн |
500+ | 230.15 грн |
1000+ | 201.48 грн |
2500+ | 192.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DAA10P1800PZ-TUB IXYS
Category: SMD universal diodes, Description: Diode: rectifying; SMD; 1.8kV; 10A; TO263ABHV; Ufmax: 1.53V; 100W, Case: TO263ABHV, Mounting: SMD, Kind of package: tube, Max. forward voltage: 1.53V, Load current: 10A, Semiconductor structure: double series, Max. forward impulse current: 150A, Power dissipation: 100W, Type of diode: rectifying, Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect, Max. off-state voltage: 1.8kV, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції DAA10P1800PZ-TUB
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
DAA10P1800PZ-TUB | Виробник : IXYS |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 1.8kV; 10A; TO263ABHV; Ufmax: 1.53V; 100W Case: TO263ABHV Mounting: SMD Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.53V Load current: 10A Semiconductor structure: double series Max. forward impulse current: 150A Power dissipation: 100W Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect Max. off-state voltage: 1.8kV кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
![]() |
DAA10P1800PZ-TUB | Виробник : IXYS |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 1.8kV; 10A; TO263ABHV; Ufmax: 1.53V; 100W Case: TO263ABHV Mounting: SMD Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.53V Load current: 10A Semiconductor structure: double series Max. forward impulse current: 150A Power dissipation: 100W Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect Max. off-state voltage: 1.8kV |
товару немає в наявності |