Продукція > IXYS > DAA10P1800PZ-TUB
DAA10P1800PZ-TUB

DAA10P1800PZ-TUB IXYS


media-3320150.pdf Виробник: IXYS
Rectifiers TO263D2
на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+405.85 грн
10+336.70 грн
100+246.76 грн
250+241.47 грн
500+230.15 грн
1000+201.48 грн
2500+192.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DAA10P1800PZ-TUB IXYS

Category: SMD universal diodes, Description: Diode: rectifying; SMD; 1.8kV; 10A; TO263ABHV; Ufmax: 1.53V; 100W, Case: TO263ABHV, Mounting: SMD, Kind of package: tube, Max. forward voltage: 1.53V, Load current: 10A, Semiconductor structure: double series, Max. forward impulse current: 150A, Power dissipation: 100W, Type of diode: rectifying, Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect, Max. off-state voltage: 1.8kV, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції DAA10P1800PZ-TUB

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DAA10P1800PZ-TUB DAA10P1800PZ-TUB Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA95E1CA471E63A0C4&compId=DAA10P1800PZ.pdf?ci_sign=78e6a587b01b8f3fd46166581c99f9180fc1f1b0 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.8kV; 10A; TO263ABHV; Ufmax: 1.53V; 100W
Case: TO263ABHV
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.53V
Load current: 10A
Semiconductor structure: double series
Max. forward impulse current: 150A
Power dissipation: 100W
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
Max. off-state voltage: 1.8kV
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DAA10P1800PZ-TUB DAA10P1800PZ-TUB Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA95E1CA471E63A0C4&compId=DAA10P1800PZ.pdf?ci_sign=78e6a587b01b8f3fd46166581c99f9180fc1f1b0 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.8kV; 10A; TO263ABHV; Ufmax: 1.53V; 100W
Case: TO263ABHV
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.53V
Load current: 10A
Semiconductor structure: double series
Max. forward impulse current: 150A
Power dissipation: 100W
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
Max. off-state voltage: 1.8kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.