DACMH160N1200

DACMH160N1200 DACO Semiconductor


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED88395B22379202A18&compId=DACMH160N1200.pdf?ci_sign=5dc3f7baceb8ec312e0f606e4a7d09fc9e67f629 Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 110A; HB9434; screw; 580W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 110A
Case: HB9434
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 580W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -5...20V
Mechanical mounting: screw
Operating temperature: -55...150°C
Topology: MOSFET half-bridge
на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+12363.15 грн
3+11361.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DACMH160N1200 DACO Semiconductor

Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 110A; HB9434; screw; 580W, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: transistor/transistor, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 110A, Case: HB9434, Electrical mounting: screw, Polarisation: unipolar, On-state resistance: 20mΩ, Pulsed drain current: 400A, Power dissipation: 580W, Technology: SiC, Gate-source voltage: -5...20V, Mechanical mounting: screw, Operating temperature: -55...150°C, Topology: MOSFET half-bridge, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції DACMH160N1200 за ціною від 14158.27 грн до 14835.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DACMH160N1200 DACMH160N1200 Виробник : DACO Semiconductor pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED88395B22379202A18&compId=DACMH160N1200.pdf?ci_sign=5dc3f7baceb8ec312e0f606e4a7d09fc9e67f629 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 110A; HB9434; screw; 580W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 110A
Case: HB9434
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 580W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -5...20V
Mechanical mounting: screw
Operating temperature: -55...150°C
Topology: MOSFET half-bridge
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+14835.78 грн
3+14158.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.