
DACMH160N1200 DACO Semiconductor

Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 110A; HB9434; screw; 580W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 110A
Case: HB9434
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 580W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -5...20V
Mechanical mounting: screw
Operating temperature: -55...150°C
Topology: MOSFET half-bridge
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 12363.15 грн |
3+ | 11361.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DACMH160N1200 DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 110A; HB9434; screw; 580W, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: transistor/transistor, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 110A, Case: HB9434, Electrical mounting: screw, Polarisation: unipolar, On-state resistance: 20mΩ, Pulsed drain current: 400A, Power dissipation: 580W, Technology: SiC, Gate-source voltage: -5...20V, Mechanical mounting: screw, Operating temperature: -55...150°C, Topology: MOSFET half-bridge, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції DACMH160N1200 за ціною від 14158.27 грн до 14835.78 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DACMH160N1200 | Виробник : DACO Semiconductor |
![]() Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 110A; HB9434; screw; 580W Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: transistor/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 110A Case: HB9434 Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 20mΩ Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 580W Technology: SiC Gate-source voltage: -5...20V Mechanical mounting: screw Operating temperature: -55...150°C Topology: MOSFET half-bridge кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|