DACMI80N1200 DACO Semiconductor
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 34mΩ
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 460W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -10...20V
Operating temperature: -55...150°C
Mechanical mounting: screw
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 34mΩ
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 460W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -10...20V
Operating temperature: -55...150°C
Mechanical mounting: screw
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 5209.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DACMI80N1200 DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 1.2kV; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A, Type of module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: single transistor, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 50A, Case: SOT227B, Electrical mounting: screw, Polarisation: unipolar, On-state resistance: 34mΩ, Pulsed drain current: 250A, Power dissipation: 460W, Technology: SiC, Gate-source voltage: -10...20V, Operating temperature: -55...150°C, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції DACMI80N1200 за ціною від 6250.96 грн до 6250.96 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DACMI80N1200 | Виробник : DACO Semiconductor |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 1.2kV; 50A; SOT227B; screw; Idm: 250A Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 50A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 34mΩ Pulsed drain current: 250A Power dissipation: 460W Technology: SiC Gate-source voltage: -10...20V Operating temperature: -55...150°C Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|