DACSB60060CT DACO Semiconductor
Виробник: DACO SemiconductorCategory: Diode modules
Description: Module: diode; double,common cathode; 600V; If: 300Ax2; Ifsm: 2.5kA
Case: Twin tower B
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 300A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 1.45V
Max. forward impulse current: 2.5kA
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: diode
Features of semiconductor devices: Schottky
Mechanical mounting: screw
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 10337.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DACSB60060CT DACO Semiconductor
Category: Diode modules, Description: Module: diode; double,common cathode; 600V; If: 300Ax2; Ifsm: 2.5kA, Case: Twin tower B, Technology: SiC, Max. off-state voltage: 0.6kV, Load current: 300A x2, Semiconductor structure: common cathode; double, Max. forward voltage: 1.45V, Max. forward impulse current: 2.5kA, Electrical mounting: screw, Type of semiconductor module: diode, Features of semiconductor devices: Schottky, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції DACSB60060CT за ціною від 12405.56 грн до 12405.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DACSB60060CT | Виробник : DACO Semiconductor |
Category: Diode modules Description: Module: diode; double,common cathode; 600V; If: 300Ax2; Ifsm: 2.5kA Case: Twin tower B Technology: SiC Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 300A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward voltage: 1.45V Max. forward impulse current: 2.5kA Electrical mounting: screw Type of semiconductor module: diode Features of semiconductor devices: Schottky Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|