DACSB60060CT DACO Semiconductor
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double,common cathode; 600V; If: 300Ax2; Ifsm: 2.5kA
Type of module: diode
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: Schottky
Technology: SiC
Case: Twin tower B
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. forward voltage: 1.45V
Load current: 300A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 2.5kA
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double,common cathode; 600V; If: 300Ax2; Ifsm: 2.5kA
Type of module: diode
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: Schottky
Technology: SiC
Case: Twin tower B
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. forward voltage: 1.45V
Load current: 300A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward impulse current: 2.5kA
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 15867.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DACSB60060CT DACO Semiconductor
Category: Diode modules, Description: Module: diode; double,common cathode; 600V; If: 300Ax2; Ifsm: 2.5kA, Type of module: diode, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Features of semiconductor devices: Schottky, Technology: SiC, Case: Twin tower B, Max. off-state voltage: 0.6kV, Max. forward voltage: 1.45V, Load current: 300A x2, Semiconductor structure: common cathode; double, Max. forward impulse current: 2.5kA, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції DACSB60060CT за ціною від 19040.63 грн до 19040.63 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DACSB60060CT | Виробник : DACO Semiconductor |
Category: Diode modules Description: Module: diode; double,common cathode; 600V; If: 300Ax2; Ifsm: 2.5kA Type of module: diode Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Features of semiconductor devices: Schottky Technology: SiC Case: Twin tower B Max. off-state voltage: 0.6kV Max. forward voltage: 1.45V Load current: 300A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward impulse current: 2.5kA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|