DG20X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 313W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 313W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 200ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 313W; TO220
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 313W
Case: TO220
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 200ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 125.82 грн |
5+ | 105.01 грн |
11+ | 78.58 грн |
29+ | 74.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DG20X06T1 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Description: STARPOWER - DG20X06T1 - IGBT, 42 A, 1.45 V, 313 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 313W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DOSEMI, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 42A, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції DG20X06T1 за ціною від 89.29 грн до 176 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DG20X06T1 | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 313W; TO220 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 29A Power dissipation: 313W Case: TO220 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Turn-on time: 26ns Turn-off time: 200ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 61 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
DG20X06T1 | Виробник : STARPOWER |
Description: STARPOWER - DG20X06T1 - IGBT, 42 A, 1.45 V, 313 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DOSEMI Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 42A SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 81 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|