DG20X06T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 166W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 29A
Power dissipation: 166W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 200ns
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 146.90 грн |
| 4+ | 122.61 грн |
| 10+ | 95.79 грн |
| 26+ | 90.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DG20X06T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR
Description: STARPOWER - DG20X06T2 - IGBT, 42 A, 1.45 V, 313 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 313W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DOSEMI, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 42A, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції DG20X06T2 за ціною від 108.51 грн до 176.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DG20X06T2 | Виробник : STARPOWER |
Description: STARPOWER - DG20X06T2 - IGBT, 42 A, 1.45 V, 313 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DOSEMI Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 42A SVHC: To Be Advised |
на замовлення 113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DG20X06T2 | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 29A; 166W; TO247 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 29A Power dissipation: 166W Case: TO247 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 26ns Turn-off time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|