Продукція > STARPOWER SEMICONDUCTOR > DG50X12T2
DG50X12T2

DG50X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR

DG50X12T2.pdf
Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 592W; TO247PLUS
Collector current: 50A
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Kind of package: tube
Turn-off time: 607ns
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 592W
Gate charge: 0.35µC
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 180ns
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+623.12 грн
3+520.92 грн
10+460.68 грн
30+414.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DG50X12T2 STARPOWER SEMICONDUCTOR

Description: STARPOWER - DG50X12T2 - IGBT, 100 A, 1.75 V, 1.049 kW, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.049kW, Bauform - Transistor: TO-247 Plus, Dauerkollektorstrom: 100A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DOSEMI Trench, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції DG50X12T2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DG50X12T2 DG50X12T2 STARPOWER Description: STARPOWER - DG50X12T2 - IGBT, 100 A, 1.75 V, 1.049 kW, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.049kW
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X12T2
DG50X12T2
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - DG50X12T2 - IGBT, 100 A, 1.75 V, 1.049 kW, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.049kW
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.