DG50X12T2

DG50X12T2 STARPOWER


3410782.pdf Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - DG50X12T2 - IGBT, 100 A, 1.75 V, 1.049 kW, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.049kW
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DOSEMI Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+587.75 грн
5+524.81 грн
10+462.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DG50X12T2 STARPOWER

Description: STARPOWER - DG50X12T2 - IGBT, 100 A, 1.75 V, 1.049 kW, 1.2 kV, TO-247 Plus, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.049kW, Bauform - Transistor: TO-247 Plus, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DOSEMI Trench, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції DG50X12T2 за ціною від 377.54 грн до 734.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DG50X12T2 DG50X12T2 Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB18053FFAF7120D4&compId=DG50X12T2.pdf?ci_sign=7ad2ac27beed18285d8998085ecf9ffa3dc88c79 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 592W; TO247PLUS
Collector current: 50A
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.35µC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 607ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 592W
Kind of package: tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+612.42 грн
3+399.65 грн
7+377.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DG50X12T2 DG50X12T2 Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB18053FFAF7120D4&compId=DG50X12T2.pdf?ci_sign=7ad2ac27beed18285d8998085ecf9ffa3dc88c79 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1200V; 50A; 592W; TO247PLUS
Collector current: 50A
Case: TO247PLUS
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.35µC
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 607ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 592W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+734.90 грн
3+498.03 грн
7+453.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.