DI6A7P02SQ DIOTEC SEMICONDUCTOR


Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 20V; -6.7A; Idm: -27A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: -6.7A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 8.5nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DI6A7P02SQ DIOTEC SEMICONDUCTOR

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 20V; -6.7A; Idm: -27A; 2.5W; SO8, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 20V, Drain current: -6.7A, Pulsed drain current: -27A, Power dissipation: 2.5W, Case: SO8, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 60mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 8.5nC, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції DI6A7P02SQ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DI6A7P02SQ Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 20V; -6.7A; Idm: -27A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: -6.7A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 8.5nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.