DIW120SIC028 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 295A; 715W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 84A
On-state resistance: 26mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 715W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 373nC
Technology: SiC
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 295A
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1696.45 грн |
| 2+ | 1489.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DIW120SIC028 DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 295A; 715W, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 84A, On-state resistance: 26mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 715W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Gate charge: 373nC, Technology: SiC, Gate-source voltage: -5...20V, Pulsed drain current: 295A, Kind of channel: enhancement, Mounting: THT, Case: TO247-3, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції DIW120SIC028 за ціною від 1855.75 грн до 2035.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DIW120SIC028 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 295A; 715W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 84A On-state resistance: 26mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 715W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 373nC Technology: SiC Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 295A Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|