DIW170SIC030-AQ Diotec Semiconductor
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
87-96 дні (днів)
Мінімальна партія:
450 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DIW170SIC030-AQ Diotec Semiconductor
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 123A; Idm: 260A; 333W, Pulsed drain current: 260A, Power dissipation: 333W, Polarisation: unipolar, Technology: SiC, Drain current: 123A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 1.7kV, Application: automotive industry, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: tube, Case: TO247-3, On-state resistance: 30mΩ, Mounting: THT.
Інші пропозиції DIW170SIC030-AQ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| DIW170SIC030-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 123A; Idm: 260A; 333W Pulsed drain current: 260A Power dissipation: 333W Polarisation: unipolar Technology: SiC Drain current: 123A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.7kV Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Case: TO247-3 On-state resistance: 30mΩ Mounting: THT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| DIW170SIC030-AQ |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 123A; Idm: 260A; 333W
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 333W
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 123A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.7kV
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 123A; Idm: 260A; 333W
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 333W
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 123A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.7kV
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.