на замовлення 4465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 25.36 грн |
| 24+ | 14.93 грн |
| 100+ | 5.51 грн |
| 1000+ | 4.45 грн |
| 10000+ | 3.55 грн |
| 20000+ | 3.40 грн |
| 50000+ | 3.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3730UFB4-7B Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 730mA; Idm: 3A; 690mW, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Gate charge: 1.6nC, On-state resistance: 0.73Ω, Power dissipation: 0.69W, Drain current: 730mA, Pulsed drain current: 3A, Gate-source voltage: ±8V, Drain-source voltage: 30V, Case: X2-DFN1006-3, Kind of package: 7 inch reel; tape.
Інші пропозиції DMN3730UFB4-7B
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| DMN3730UFB4-7B | Виробник : Diodes Inc |
 Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 3-Pin X2-DFN T/R |
товару немає в наявності |
||
| DMN3730UFB4-7B | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 730mA; Idm: 3A; 690mW Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 1.6nC On-state resistance: 0.73Ω Power dissipation: 0.69W Drain current: 730mA Pulsed drain current: 3A Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 30V Case: X2-DFN1006-3 Kind of package: 7 inch reel; tape |
товару немає в наявності |