Продукція > DIODES INCORPORATED > DMNH10H021SPSW-13

DMNH10H021SPSW-13 Diodes Incorporated

DMNH10H021SPSW.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMNH10H021SPSW-13 Diodes Incorporated

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.4W; PowerDI5060-8, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Gate charge: 71nC, On-state resistance: 28mΩ, Power dissipation: 4.4W, Drain-source voltage: 100V, Case: PowerDI5060-8, Type of transistor: N-MOSFET.

Інші пропозиції DMNH10H021SPSW-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMNH10H021SPSW-13 DIODES INCORPORATED Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.4W; PowerDI5060-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 71nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 4.4W
Drain-source voltage: 100V
Case: PowerDI5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH10H021SPSW-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.4W; PowerDI5060-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 71nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 4.4W
Drain-source voltage: 100V
Case: PowerDI5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.