DMNH45M7SCT DIODES INCORPORATED
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 155A; Idm: 200A; 96W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 155A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 96W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 155A; Idm: 200A; 96W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 155A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 96W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 143.75 грн |
| 50+ | 80.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMNH45M7SCT DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 155A; Idm: 200A; 96W; TO220AB, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 155A, Pulsed drain current: 200A, Power dissipation: 96W, Case: TO220AB, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 3.4Ω, Mounting: THT, Gate charge: 36.1nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції DMNH45M7SCT за ціною від 55.17 грн до 172.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMNH45M7SCT | Виробник : Diodes Incorporated |
 MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMNH45M7SCT | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 155A; Idm: 200A; 96W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 155A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 96W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.4Ω Mounting: THT Gate charge: 36.1nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 64 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|