| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 57.81 грн |
| 10+ | 50.51 грн |
| 100+ | 29.95 грн |
| 500+ | 25.00 грн |
| 1000+ | 21.32 грн |
| 3000+ | 18.02 грн |
| 6000+ | 17.79 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Мінімальна партія:
6 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT35M7LFV-13 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 90A; 1.98W, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 90A, Power dissipation: 1.98W, Gate charge: 36nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 61A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 30V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: 13 inch reel; tape, Case: PowerDI3333-8, On-state resistance: 8.5mΩ.
Інші пропозиції DMT35M7LFV-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| DMT35M7LFV-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 90A; 1.98W Mounting: SMD Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 1.98W Gate charge: 36nC Polarisation: unipolar Drain current: 61A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape Case: PowerDI3333-8 On-state resistance: 8.5mΩ |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMT35M7LFV-13 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 90A; 1.98W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 1.98W
Gate charge: 36nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 61A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: PowerDI3333-8
On-state resistance: 8.5mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 90A; 1.98W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 1.98W
Gate charge: 36nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 61A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: PowerDI3333-8
On-state resistance: 8.5mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.