на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 59.08 грн |
| 10+ | 51.62 грн |
| 100+ | 30.62 грн |
| 500+ | 25.55 грн |
| 1000+ | 21.79 грн |
| 3000+ | 18.42 грн |
| 6000+ | 18.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT35M7LFV-13 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 90A; 1.98W, On-state resistance: 8.5mΩ, Power dissipation: 1.98W, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: 13 inch reel; tape, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Case: PowerDI3333-8, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Pulsed drain current: 90A, Drain current: 61A, Drain-source voltage: 30V, Gate charge: 36nC.
Інші пропозиції DMT35M7LFV-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| DMT35M7LFV-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 90A; 1.98W On-state resistance: 8.5mΩ Power dissipation: 1.98W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerDI3333-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 90A Drain current: 61A Drain-source voltage: 30V Gate charge: 36nC |
товару немає в наявності |