на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 56.51 грн |
| 10+ | 49.37 грн |
| 100+ | 29.28 грн |
| 500+ | 24.44 грн |
| 1000+ | 20.84 грн |
| 3000+ | 17.61 грн |
| 6000+ | 17.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT35M7LFV-13 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 90A; 1.98W, Power dissipation: 1.98W, Polarisation: unipolar, Kind of package: 13 inch reel; tape, Gate charge: 36nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 90A, Mounting: SMD, Case: PowerDI3333-8, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 61A, On-state resistance: 8.5mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції DMT35M7LFV-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| DMT35M7LFV-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 90A; 1.98W Power dissipation: 1.98W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 36nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 90A Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 61A On-state resistance: 8.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||
| DMT35M7LFV-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 90A; 1.98W Power dissipation: 1.98W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 36nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 90A Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 61A On-state resistance: 8.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |