DMT4008LFV-13 Diodes Incorporated


DMT4008LFV-1594593.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT4008LFV-13 Diodes Incorporated

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 9.7A; Idm: 70A; 1.9W, Case: PowerDI3333-8, Kind of package: 13 inch reel; tape, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 40V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 12mΩ, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 70A, Power dissipation: 1.9W, Gate charge: 17.1nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 9.7A.

Інші пропозиції DMT4008LFV-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMT4008LFV-13 DIODES INCORPORATED Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 9.7A; Idm: 70A; 1.9W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 1.9W
Gate charge: 17.1nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 9.7A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4008LFV-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 9.7A; Idm: 70A; 1.9W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 1.9W
Gate charge: 17.1nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 9.7A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.