DMT4008LFV-13

DMT4008LFV-13 Diodes Incorporated


DMT4008LFV-1594593.pdf Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT4008LFV-13 Diodes Incorporated

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 9.7A; Idm: 70A; 1.9W, Case: PowerDI3333-8, Kind of package: 13 inch reel; tape, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Gate charge: 17.1nC, On-state resistance: 12mΩ, Power dissipation: 1.9W, Drain current: 9.7A, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 40V, Pulsed drain current: 70A.

Інші пропозиції DMT4008LFV-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT4008LFV-13 Виробник : DIODES INCORPORATED Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 9.7A; Idm: 70A; 1.9W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17.1nC
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 1.9W
Drain current: 9.7A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 70A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.