DMTH48M3SFVW-7 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH48M3SFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 52.4 A, 6900 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.82W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 67.12 грн |
| 19+ | 42.89 грн |
| 100+ | 36.67 грн |
| 500+ | 29.02 грн |
| 1000+ | 23.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMTH48M3SFVW-7 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH48M3SFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 52.4 A, 6900 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 52.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.82W, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMTH48M3SFVW-7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
DMTH48M3SFVW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta), 52.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.82W (Ta), 36.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |
