E6D20065G Wolfspeed
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 592.88 грн |
| 10+ | 501.17 грн |
| 100+ | 363.42 грн |
| 250+ | 348.34 грн |
| 500+ | 320.44 грн |
| 1000+ | 288.02 грн |
| 2500+ | 275.20 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис E6D20065G Wolfspeed
Description: DIODE SIL CARB 650V 68A TO2632, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1277pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 68A, Supplier Device Package: TO-263-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V.
Інші пропозиції E6D20065G за ціною від 244.11 грн до 632.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
E6D20065G | Wolfspeed, Inc. |
 Description: DIODE SIL CARB 650V 68A TO2632Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1277pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 68A Supplier Device Package: TO-263-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V |
на замовлення 965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| E6D20065G |
|
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 68A TO2632
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1277pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 68A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 68A TO2632
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1277pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 68A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 632.99 грн |
| 50+ | 333.32 грн |
| 100+ | 306.71 грн |
| 500+ | 244.11 грн |