| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 70685.27 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EAB450M12XM3 Wolfspeed
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 450A, Packaging: Box, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38000pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 450A, 15V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1330nC @ 15V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 132mA, Part Status: Active.
Інші пропозиції EAB450M12XM3 за ціною від 75376.43 грн до 75376.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
EAB450M12XM3 | Wolfspeed, Inc. |
 Description: MOSFET 2N-CH 1200V 450APackaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38000pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 450A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1330nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 132mA Part Status: Active |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| EAB450M12XM3 |
|
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 450A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38000pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 450A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1330nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 132mA
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 450A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38000pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 450A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1330nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 132mA
Part Status: Active
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 75376.43 грн |