ESH1PD-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO220AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-220AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ESH1PD-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - ESH1PD-M3/84A - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 900 mV, 25 ns, 50 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-220AA, Durchlassstoßstrom: 50A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchlassspannung, max.: 900mV, Sperrverzögerungszeit: 25ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: ESH1P, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 200V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції ESH1PD-M3/84A за ціною від 7.93 грн до 45.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ESH1PD-M3/84A | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - ESH1PD-M3/84A - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 900 mV, 25 ns, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-220AA Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 900mV Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ESH1P productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 2345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ESH1PD-M3/84A | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - ESH1PD-M3/84A - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 900 mV, 25 ns, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-220AA Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 900mV Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ESH1P productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 2345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ESH1PD-M3/84A | Виробник : Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 200volts 1.0amp |
на замовлення 5655 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ESH1PD-M3/84A | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO220AA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-220AA (SMP) Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-220AA Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 5102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ESH1PD-M3\84A | Виробник : Vishay Semiconductors | Rectifiers 1A, 200V, E.FF SMDIODE |
товару немає в наявності |