Продукція > FAIR > FDMS8660S

FDMS8660S FAIR


FDMS8660S.pdf Виробник: FAIR

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS8660S FAIR

Description: MOSFET N-CH 30V 25A/40A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4345 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDMS8660S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMS8660S Виробник : FAIR FDMS8660S.pdf 030+ QFN8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDMS8660S Виробник : FSC FDMS8660S.pdf
на замовлення 7946 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDMS8660S(транзистор)
Код товару: 61186
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDMS8660S FDMS8660S Виробник : ON Semiconductor fdms8660s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 25A 8-Pin Power 56 T/R
товар відсутній
FDMS8660S FDMS8660S Виробник : onsemi FDMS8660S.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 25A/40A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4345 pF @ 15 V
товар відсутній
FDMS8660S FDMS8660S Виробник : onsemi FDMS8660S.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 25A/40A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4345 pF @ 15 V
товар відсутній
FDMS8660S FDMS8660S Виробник : onsemi / Fairchild FairchildSemiconductor_16131851455936-1191894.pdf MOSFET 30V 40A 2.4 OHM NCH POWER T
товар відсутній