FDP8874. ONSEMI

Description: ONSEMI - FDP8874. - MOSFET'S - SINGLE, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 114, Qualifikation: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, Verlustleistung: 110, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053, SVHC: Lead (19-Jan-2021).