FF300R17ME4BOSA1

FF300R17ME4BOSA1 Infineon Technologies


Infineon-FF300R17ME4-DS-v02_04-en_de.pdf?fileId=db3a30431ddc9372011e1c50781f3c43 Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1700V 375A 1800W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 375 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 1800 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+14616.15 грн
10+ 13182.29 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF300R17ME4BOSA1 Infineon Technologies

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A, Case: AG-ECONOD-3, Power dissipation: 1.8kW, Technology: EconoDUAL™ 3, Mechanical mounting: screw, Pulsed collector current: 600A, Max. off-state voltage: 1.7kV, Electrical mounting: Press-in PCB, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: transistor/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 300A, Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції FF300R17ME4BOSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FF300R17ME4BOSA1 FF300R17ME4BOSA1 Виробник : Infineon Technologies 9786infineon-ff300r17me4_b11-ds-v2_1-en_de.pdffolderiddb3a304412b4079.pdf Trans IGBT Module N-CH 1700V 375A 1800000mW 11-Pin ECONOD-3 Tray
товар відсутній
FF300R17ME4BOSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES FF300R17ME4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Case: AG-ECONOD-3
Power dissipation: 1.8kW
Technology: EconoDUAL™ 3
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FF300R17ME4BOSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES FF300R17ME4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Case: AG-ECONOD-3
Power dissipation: 1.8kW
Technology: EconoDUAL™ 3
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 600A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
товар відсутній