FF300R17ME4BOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1700V 375A 1800W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 375 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 1800 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 9823.92 грн |
10+ | 9123.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF300R17ME4BOSA1 Infineon Technologies
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 300A, Pulsed collector current: 600A, Power dissipation: 1.8kW, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Type of module: IGBT, Technology: EconoDUAL™ 3, Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor, Case: AG-ECONOD-3, Max. off-state voltage: 1.7kV, Semiconductor structure: transistor/transistor, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FF300R17ME4BOSA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
FF300R17ME4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|
FF300R17ME4BOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 300A Pulsed collector current: 600A Power dissipation: 1.8kW Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: EconoDUAL™ 3 Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor Case: AG-ECONOD-3 Max. off-state voltage: 1.7kV Semiconductor structure: transistor/transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
FF300R17ME4BOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 300A Pulsed collector current: 600A Power dissipation: 1.8kW Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: EconoDUAL™ 3 Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor Case: AG-ECONOD-3 Max. off-state voltage: 1.7kV Semiconductor structure: transistor/transistor |
товару немає в наявності |