Продукція > ONSEMI > FGA50S110P.
FGA50S110P.

FGA50S110P. ONSEMI

FGA50S110P-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGA50S110P. - IGBT, 50 A, 2.06 V, 300 W, 1.1 kV, TO-3PL, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.06
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-3PL
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.1
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGA50S110P. ONSEMI

Description: ONSEMI - FGA50S110P. - IGBT, 50 A, 2.06 V, 300 W, 1.1 kV, TO-3PL, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.06, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300, Bauform - Transistor: TO-3PL, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.1, Betriebstemperatur, max.: 175, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50, SVHC: Lead (19-Jan-2021).