Продукція > ONSEMI > FGH20N60SFDTU
FGH20N60SFDTU

FGH20N60SFDTU ONSEMI


FGH20N60SFDTU.pdf Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 66W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 66W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+257.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGH20N60SFDTU ONSEMI

Description: IGBT FIELD STOP 600V 40A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 34 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 13ns/90ns, Switching Energy: 370µJ (on), 160µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 65 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 165 W.

Інші пропозиції FGH20N60SFDTU за ціною від 118.29 грн до 298.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FGH20N60SFDTU FGH20N60SFDTU Виробник : onsemi / Fairchild FGH20N60SFDTU_F085_D-2313335.pdf IGBT Transistors 600V 20A Field Stop
на замовлення 1682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+260.69 грн
10+ 216.15 грн
25+ 151.81 грн
100+ 141.3 грн
450+ 119.61 грн
900+ 118.95 грн
5400+ 118.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH20N60SFDTU FGH20N60SFDTU Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178492-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FGH20N60SFDTU - IGBT, Universal, 40 A, 2.2 V, 165 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+298.58 грн
10+ 205.69 грн
100+ 159.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGH20N60SFDTU Виробник : ON-Semicoductor fgh20n60sfdtu-f085-d.pdf Single IGBT Transistors 600V 20A Field Stop ;   FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 TFGH20N60sfdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 72 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+158.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
FGH20N60SFDTU Транзистор
Код товару: 191499
Транзистори > IGBT
товар відсутній
FGH20N60SFDTU FGH20N60SFDTU Виробник : ON Semiconductor fgh20n60sfdtu-f085-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH20N60SFDTU FGH20N60SFDTU Виробник : ON Semiconductor fgh20n60sfdtu-f085-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH20N60SFDTU FGH20N60SFDTU Виробник : onsemi fgh20n60sfdtu-f085-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 600V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/90ns
Switching Energy: 370µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 65 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 165 W
товар відсутній