FGH20N60SFDTU ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 66W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 66W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 66W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 66W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 257.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGH20N60SFDTU ONSEMI
Description: IGBT FIELD STOP 600V 40A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 34 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 13ns/90ns, Switching Energy: 370µJ (on), 160µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 65 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 165 W.
Інші пропозиції FGH20N60SFDTU за ціною від 118.29 грн до 298.58 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FGH20N60SFDTU | Виробник : onsemi / Fairchild | IGBT Transistors 600V 20A Field Stop |
на замовлення 1682 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FGH20N60SFDTU | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGH20N60SFDTU - IGBT, Universal, 40 A, 2.2 V, 165 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 165W Bauform - Transistor: TO-247AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A |
на замовлення 345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FGH20N60SFDTU | Виробник : ON-Semicoductor |
Single IGBT Transistors 600V 20A Field Stop ; FGH20N60SFDTU TO-247AB-3 TFGH20N60sfdtu кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 72 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FGH20N60SFDTU Транзистор Код товару: 191499 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
FGH20N60SFDTU | Виробник : ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FGH20N60SFDTU | Виробник : ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FGH20N60SFDTU | Виробник : onsemi |
Description: IGBT FIELD STOP 600V 40A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 34 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 13ns/90ns Switching Energy: 370µJ (on), 160µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 65 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 165 W |
товар відсутній |