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FGP10N60UNDF.

FGP10N60UNDF. ONSEMI

FGP10N60UNDF-D.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGP10N60UNDF. - IGBT, 20 A, 2 V, 139 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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Технічний опис FGP10N60UNDF. ONSEMI

Description: ONSEMI - FGP10N60UNDF. - IGBT, 20 A, 2 V, 139 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 139, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600, Betriebstemperatur, max.: 150, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20, SVHC: Lead (19-Jan-2021).