| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 786.47 грн |
| 10+ | 460.29 грн |
| 120+ | 361.88 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGY4L75T120SWD onsemi
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 326W; TO247-4, Collector current: 75A, Mounting: THT, Collector-emitter voltage: 1.2kV, Power dissipation: 326W, Gate charge: 225.6nC, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal, Pulsed collector current: 300A, Type of transistor: IGBT, Kind of package: tube, Case: TO247-4, Gate-emitter voltage: ±20V.
Інші пропозиції FGY4L75T120SWD за ціною від 471.51 грн до 824.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FGY4L75T120SWD | onsemi |
Description: IGBT FS 1200V 150A TO-247-4L |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FGY4L75T120SWD |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: IGBT FS 1200V 150A TO-247-4L
Description: IGBT FS 1200V 150A TO-247-4L
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 824.45 грн |
| 30+ | 471.51 грн |



