на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 784.93 грн |
| 10+ | 605.10 грн |
| 120+ | 382.60 грн |
| 510+ | 365.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGY4L75T120SWD onsemi
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 326W; TO247-4, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 1.2kV, Collector current: 75A, Power dissipation: 326W, Case: TO247-4, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 300A, Mounting: THT, Gate charge: 225.6nC, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal.
Інші пропозиції FGY4L75T120SWD
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| FGY4L75T120SWD | Виробник : ON Semiconductor |
 N-channel IGBT |
товару немає в наявності |
||
| FGY4L75T120SWD | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 326W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 75A Power dissipation: 326W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 225.6nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
товару немає в наявності |