FK4B01110L Nuvoton Technology Corporation


DS_FK4B01110L_EN_Rev1.02.pdf
Виробник: Nuvoton Technology Corporation
Description: SINGLE NCH MOSFET 12V, 2.3A 57MO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.55 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: ALGA004-W-0606-RA01
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 118µA
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-XFLGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FK4B01110L Nuvoton Technology Corporation

Description: SINGLE NCH MOSFET 12V, 2.3A 57MO, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.55 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Supplier Device Package: ALGA004-W-0606-RA01, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 118µA, Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 1.5A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 4-XFLGA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FK4B01110L

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FK4B01110L Nuvoton DS_FK4B01110L_EN_Rev1.02.pdf Single Nch MOSFET 12V, 2.3A 57mohm LGA 0.6x0.6 for load switching circuit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FK4B01110L DS_FK4B01110L_EN_Rev1.02.pdf
Виробник: Nuvoton
Single Nch MOSFET 12V, 2.3A 57mohm LGA 0.6x0.6 for load switching circuit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.