FMOSBSS138K2-Q1-H

FMOSBSS138K2-Q1-H Formosa Microsemi Co., Ltd.


FMOSBSS138K2-Q1_REV_A.pdf Виробник: Formosa Microsemi Co., Ltd.
Description: 0.22A 50V N-Channel Enhancement
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FMOSBSS138K2-Q1-H Formosa Microsemi Co., Ltd.

Description: 0.22A 50V N-Channel Enhancement, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V, FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Qualification: AEC-Q101.