FMOSGTQC393N10-Q1-H

FMOSGTQC393N10-Q1-H Formosa Microsemi Co., Ltd.


FMOSGTQC393N10-Q1-H_REV_A.pdf Виробник: Formosa Microsemi Co., Ltd.
Description: 393A 100V N-Channel Shield Gate
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TOLL
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Supplier Device Package: TOLL-8L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+90.61 грн
4000+79.98 грн
10000+77.80 грн
20000+68.92 грн
100000+66.87 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FMOSGTQC393N10-Q1-H Formosa Microsemi Co., Ltd.

Description: 393A 100V N-Channel Shield Gate, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TOLL, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 429W (Tc), Supplier Device Package: TOLL-8L, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V, Vgs (Max): ±20V, Qualification: AEC-Q101.