Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FQA11N90C_F109
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| FQA11N90C-F109 | Виробник : ON Semiconductor |
 |
на замовлення 7300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| FQA11N90C_F109 | Виробник : ONS/FAI |
N-Channel 900V 11A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||
 |
FQA11N90C-F109 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 900V 11A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
FQA11N90C-F109 | Виробник : onsemi |
MOSFETs 900V N-Ch Q-FET advance C-Series |
товару немає в наявності |